Krystaly, Hradec Králové, a.s.
 
Wafery, substráty pro SAW image

Wafery, substráty pro SAW

 Wafery jsou tenké desky vyrobené z monokrystalu s piezoelektrickými vlastnostmi. Jedná se o substráty pro součástky s povrchovou akustickou vlnou (PAV, resp. SAW z anglického surface acoustic wave).
Standardně vyrábíme wafery s průměry 3“ (76,2 mm) a 4" (100,0 mm). Podle požadavku zákazníka, resp. konkrétní aplikace, dodáváme wafery s různou kvalitou povrchu – od broušeného až po leštěný s PAV (SAW) kvalitou. Jako výchozí piezoelektrický materiál se kromě syntetického křemene používají i další krystalické  piezoelektrické materiály jako například lithium niobát (LN, LiNbO3), lithium tantalát (LT, LiTaO3), langasit (La3Ga5SiO14) a jiné.


Wafery se používají pro široké spektrum aplikací, například
-  součástky s PAV pro stabilizaci a filtraci kmitočtu (rezonátory, filtry, oscilátory)
-  součástky s PAV pro senzory
-  optoelektrické součástky
-  vf mikrovlnné obvody
-  biotechnologické oblasti
-  fotolitografické technologie
atd.

Typické specifikace křemenných substrátů

Parametr 3" substrát 4" substrát tolerance
Průměr [ mm ] 76.2 100.0 ±0.2 mm
Tloušťka [ µm ] od 350 do 2000 µm, standardně 350 nebo 500,
resp. dle specifikace zákazníka
±10 µm
Úhel řezu skupina ST řezů (tj. otáčený Y-řez. kolem osy X o 25° – 50°),
řezy Y90°, Z90°, X90°, ZX 1°50‘, …
speciální řezy dle požadavku zákazníka
±5'
Značení úhlu řezu pomocí zářezů na hlavní plošce, popř. boku waferu,
pomocí vedlejších plošek – velikost a umístění dle zákazníka,
laserový popis pod hlavní ploškou – dle požadavku zákazníka
 
Hlavní ploška
- poloha
- délka [mm]

standardně kolmá na osu -X
23 mm (3“) a 32 mm (4“) nebo podle požadavku zákazníka

±15'
±2 mm
Kvalita povrchu broušený – typicky rubová strana – Ra = 0,12 – 0,20 µm,
leštěný opticky – Ra < 10 nm,
leštěný PAV kvalita – RMS < 1 nm
(pro každou stranu lze volit jinou kvalitu)
 
TTV [ µm ] < 8  
Průhyb [ µm ] < 40  


Specifikace syntetického křemene ( podle EN/IEC 60758:2004, Ed.3 ):

  • stupeň kvality:
  • hustota inkluzí:
  • hustota leptacích kanálků:
stupeň C ( > 1.8 x 106 )
stupeň Ib
stupeň 3


Typická specifikace křemenných substrátů (jednostranně leštěné PAV)

 Parametr 3-palcový wafer 4-palcový wafer
 Průměr (mm) 76.2 ± 0.2 100.0 ± 0.2
 Tloušťka (µm) standardně 500 nebo 350, resp. dle specifikace zákazníka
 Úhel řezu skupina ST řezů s tolerancí ± 5'
 LTV (µm) < 3 (oblact 10 x 10 mm)
 Průhyb (µm) < 40
 Leštěný povrch PAV kvalita, RMS < 0.5 nm
 Značení osy X pomocí plošky specifikované zákazníkem



Typická specifikace langasitových substrátů (jednostranně leštěné PAV)

 Parametr 3-palcový wafer 4-palcový wafer
 Průměr (mm) 76.2 ± 0.2 100.0 ± 0.2
 Tloučťka (µm) standardně 500 nebo 350, resp. dle specifikace zákazníka
 Úhel řezu (Euler) 0°/65°/0°, 0°/90°/0°, 0°/26°/35°,  0°/138.5°/26.7°
s tolerancí ± 6'
 LTV (µm) < 8 (oblast 10 x 10 mm)
 Průhyb (µm) < 40
 Leštěný povrch PAV kvalita, RMS < 0.7 nm
 Značení osy X pomocí hlavní a vedlejší plošky


Odchylky od standardních hodnot a další parametry je možno konzultovat.


Odkazy
Podrobnější informace o křemenném krystalu lze získat například v následují technické normě:

ČSN EN 60 758, Syntetický křemenný krystal - Specifikace a pokyny k použití
 
 
 

Rozměry waferů

Vnější rozměry [ mm ]

3" substrát 4" substrát
 wafer 3inch  wafer 4inch

 
 
 

KRYSTALY 

Hradec Králové, a.s. 
Okružní 1144 
500 03 Hradec Králové 3 
Česká republika